Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
AOT10N65
Product Overview
Fabricant:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AOT10N65-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Description détaillée:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12845168
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
AOT10N65 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1645 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
AOT10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
AOT10N65-DG
Fiches techniques
AOT10N65
Dessins de produits
TO220 Pkg Drawing
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
5202-AOT10N65
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP9NK65Z
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STP9NK65Z-DG
PRIX UNITAIRE
1.54
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB9N65APBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
912
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB9N65APBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.19
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
TK7E80W,S1X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
40
NUMÉRO DE PIÈCE
TK7E80W,S1X-DG
PRIX UNITAIRE
1.19
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP10N80P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
242
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP10N80P-DG
PRIX UNITAIRE
2.72
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
NVMFS5A160PLZT3G
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
AOTF474
MOSFET N-CH 75V 9A/47A TO220FL
AOTF20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F
AOTF12T60PL
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F