Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
AOP607
Product Overview
Fabricant:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AOP607-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 2.5W Through Hole 8-PDIP
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12849824
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
AOP607 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
-
rds activé (max) @ id, vgs
56mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
540pF @ 30V
Puissance - Max
2.5W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDIP
Numéro de produit de base
AOP60
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
AOP607-DG
Fiches techniques
AOP607
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
785-1141-1-DG
785-1141-5
785-1141-6
785-1141-2-DG
785-1141-1
785-1141-6INACTIVE
785-1141-2
785-1141-6-DG
785-1141-2INACTIVE
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDY4001CZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A SOT563F
AON6812
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8DFN
AO4884L_001
MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
FDMA1023PZ
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET