Numéro de produit du fabricant:
AOI9N50
Product Overview
Fabricant:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AOI9N50-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
Description détaillée:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventaire:
12849567
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SOUMETTRE
AOI9N50 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
860mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1160 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
178W (Tc)
Température de fonctionnement
-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251A
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base
AOI9
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,500
Autres noms
5202-AOI9N50
785-1455-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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