AO6602 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel Complementary
Fonctionnalité FET
Standard
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.5A (Ta), 2.7A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
210pF @ 15V, 240pF @ 15V
Puissance - Max
1.15W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-74, SOT-457
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Numéro de produit de base
AO660
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes