AO4772 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
310 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
AO47
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3024LSS-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
2318
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3024LSS-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.18
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
FQP5P10
MOSFET P-CH 100V 4.5A TO220-3